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225度MOS管
北京启尔特科技新到一批150度、175度、200度、225度、250度、275度高温晶体管,具有体积小,电压范围大,结实可靠,可耐高温,常用型号有2N2222A等,适用于石油测井勘探及其他科研领域。
场效应晶体管于1925年由Julius Edgar Lilienfeld和于1934年由Oskar Heil分别发明,但是实用的器件一直到1952年才被制造出来(结型场效应管)。1960年Dawan Kahng发明了金属氧化物半导体场效应晶体管,从而大部分代替了JFET,对电子行业的发展有着深远的意义。
200度三极管
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达林顿管就是两个三极管接在一起,极性只认前面的三极管。具体接法如下,以两个相同极性的三极管为例,175度高温稳压二极管参数,前面三极管集电极跟后面三极管集电极相接,前面三极管发射极跟后面三极管基极相接,前面三极管功率一般比后面三极管小,前面三极管基极为达林顿管基极,后面三极管发射极为达林顿管发射极,用法跟三极管一样,稳压二极管,放大倍数是两个三极管放大倍数的乘积。
200度MOS管
北京启尔特科技新到一批150度、175度、200度、225度、250度、275度高温晶体管,具有体积小,电压范围大,结实可靠,150度稳压二极管参数,可耐高温,常用型号有2N2222A等,适用于石油测井勘探及其他科研领域。
场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。主要有两种类型(junction FET-JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管(metal-oxide semiconductor FET,250度稳压二极管参数,简称MOS-FET)。由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(10~10Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
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