三极管-北京启尔特-275度三极管公司

225度达林顿晶体管

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场效应晶体管

场效应晶体管（field effect transistor）利用场效应原理工作的晶体管。英文简称FET。场效应就是改变外加垂直于半导体表面上电场的方向或大小，以控制半导体导电层（沟道）中多数载流子的密度或类型。它是由电压调制沟道中的电流，其工作电流是由半导体中的多数载流子输运。这类只有一种极性载流子参加导电的晶体管又称单极型晶体管。与双极型晶体管相比，场效应晶体管具有输入阻抗高、噪声小、极限频率高、功耗小，制造工艺简单、温度特性好等特点，广泛应用于各种放大电路、数字电路和微波电路等。

225度MOS管

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场效应晶体管于1925年由Julius Edgar Lilienfeld和于1934年由Oskar Heil分别发明，但是实用的器件一直到1952年才被制造出来（结型场效应管）。1960年Dawan Kahng发明了金属氧化物半导体场效应晶体管，从而大部分代替了JFET，对电子行业的发展有着深远的意义。

175度三极管

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耗散功率耗散功率也称集电极允许耗散功率PCM，是指晶体管参数变化不超过规定允许值时的集电极耗散功率。

耗散功率与晶体管的允许结温和集电极电流有密切关系。晶体管在使用时，其实际功耗不允许超过PCM值，275度三极管公司，否则会造成晶体管因过载而损坏。

通常将耗散功率PCM小于1W的晶体管称为小功率晶体管，PCM等于或大于1W、小于5W的晶体管被称为中功率晶体管，将PCM等于或大于5W的晶体管称为大功率晶体管。

三极管-北京启尔特-275度三极管公司由北京启尔特石油科技有限公司提供。北京启尔特石油科技有限公司是一家从事“175度晶振,150度单片机,150度存储器,175度电容”的公司。自成立以来，我们坚持以“诚信为本，稳健经营”的方针，勇于参与市场的良性竞争，使“QET,novacap,vishay,kemet,ti”品牌拥有良好口碑。我们坚持“服务至上，用户至上”的原则，使北京启尔特在集成电路中赢得了客户的信任，树立了良好的企业形象。 特别说明：本信息的图片和资料仅供参考，欢迎联系我们索取准确的资料，谢谢！同时本公司还是从事150度高温电容，175度贴片电容，200度陶瓷电容的厂家，欢迎来电咨询。