北京210度EEPROM参数-北京(在线咨询)-EEPROM

210度存储器现货

EEPROM与闪存

从软件角度看，北京210度EEPROM参数，独立的EEPROM和闪存器件是类似的，两者主要差别是EEPROM器件可以逐字节地修改，而闪存器件只支持扇区擦除以及对被擦除单元的字、页或扇区进行编程。对闪存的重新编程还需要使用SRAM，因此它要求更长的时间内有更多的器件在工作，从而需要消耗更多的电池能量。设计工程师也必须确认在修改数据时有足够容量的SRAM可用。

150度高温存储器

构成存储器的存储介质，北京150度EEPROM参数，存储元，它可存储一个二进制代码。由若干个存储元组成一个存储单元，然后再由许多存储单元组成一个存储器。一个存储器包含许多存储单元，每个存储单元可存放一个字节（按字节编址）。每个存储单元的位置都有一个编号，即地址，一般用十六进制表示。一个存储器中所有存储单元可存放数据的总和称为它的存储容量。假设一个存储器的地址码由20位二进制数（即5位十六进制数）组成，经销150度EEPROM参数，则可表示2的20次方，即1M个存储单元地址。每个存储单元存放一个字节，则该存储器的存储容量为1MB。

高温200度存储器

分类

按用途

根据存储器在计算机系统中所起的作用，可分为主存储器、辅助存储器、高速缓冲存储器、控制存储器等。

为了解决对存储器要求容量大，速度快，成本低三者之间的矛盾，通常采用多级存储器体系结构，即使用高速缓冲存储器、主存储器和外存储器。

用途特点

高速缓冲存储器Cache 高速存取指令和数据存取速度快，EEPROM，但存储容量小

主存储器内存存放计算机运行期间的大量程序和数据存取速度较快，存储容量不大

外存储器外存存放系统程序和大型数据文件及数据库存储容量大，位成本低