直插晶振-北京启尔特-200度高温直插晶振频率

晶振

晶体电阻：对于同一频率，当工作在高次泛音振动时其电阻值将比工作在低次振动时大。

工作温度范围与温度频差：在提出温度频差时，应考虑设备工作引起的温升容限。当对温度频差要求很高，150度测井直插晶振频率，同时空间和功率都允许的情况下，应考虑恒温工作，恒温晶体振荡器就是为此而设计的。

负载电容与频率牵引：在许多应用中，200度直插晶振频率，都有用一负载电抗元件来牵引晶体频率的要求，这在锁相环回路及调频应用中非常必要，大多数情况下，这个负载电抗呈容性，当该电容值为CL时，则相对负载谐振频率偏移量为：DL=C1/[2（C0+CL）]。

晶振

根据引线状况可分为直插（有引线）与表面贴装（无引线）两种类型。当前常见的主要封装型号有HC-49U、HC-49/S、GLASS、UM-1、UM-4、UM-5与SMD。

压电效应：

对某些电介质施加机械力而引起它们内部正负电荷中心相对位移，直插晶振，产生极化，从而导致介质两端表面内出现符号相反的束缚电荷.在一定应力范围内，机械力与电荷呈线性可逆关系.这种现象称为压电效应.

作用：提供系统振荡脉冲，稳定频率，选择频率.

晶振

参数a. 标称频率：在规定条件下，晶振的谐振中心频率.

b. 调整频差：在规定条件下，基准温度时的工作频率相对标称频率的偏离值.(ppm)

c. 温度频差：在规定条件下，200度高温直插晶振频率，在整个工作温度范围内，相对于基准温度时工作频率的允许偏离值.

d. 负载谐振电阻：晶振与外部电容相串联，在负载谐振频率时的电阻值.

e.负载电容： 是指与晶振一起决定负载谐振频率的有效外界电容.常用标准值有：12pF 、 16pF 、 20pF 、 30pF.