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晶振

根据引线状况可分为直插（有引线）与表面贴装（无引线）两种类型。当前常见的主要封装型号有HC-49U、HC-49/S、GLASS、UM-1、UM-4、UM-5与SMD。

压电效应：

对某些电介质施加机械力而引起它们内部正负电荷中心相对位移，产生极化，从而导致介质两端表面内出现符号相反的束缚电荷.在一定应力范围内，机械力与电荷呈线性可逆关系.这种现象称为压电效应.

作用：提供系统振荡脉冲，稳定频率，选择频率.

参数a. 标称频率：在规定条件下，晶振的谐振中心频率.

b. 调整频差：在规定条件下，基准温度时的工作频率相对标称频率的偏离值.(ppm)

c. 温度频差：在规定条件下，在整个工作温度范围内，相对于基准温度时工作频率的允许偏离值.

d. 负载谐振电阻：晶振与外部电容相串联，在负载谐振频率时的电阻值.

e.负载电容： 是指与晶振一起决定负载谐振频率的有效外界电容.常用标准值有：12pF 、 16pF 、 20pF 、 30pF.

晶振指标

标称频率：振荡器输出的中心频率或频率的标称值。

频率准确度：振荡器输出频率在室温（25℃±2℃）下相对于标称频率的偏差。

调整频差：在温度范围内振荡器输出频率相对于25℃时测量值允许频率偏差。

负载谐振频率（fL）：在规定条件下，晶体与一负载电容相串联或相并联，其组合阻抗呈现为电阻性时（产生谐振）的两个频率中的一个频率。在串联负载电容时，负载谐振频率是两个频率中较低的一个，在并联负载电容时，则是两个频率中较高的一个。

晶振有一个重要的参数，那就是负载电容值，选择与负载电容值相等的并联电容，就可以得到晶振标称的谐振频率。

一般的晶振振荡电路都是在一个反相放大器（注意是放大器不是反相器）的两端接入晶振，再有两个电容分别接到晶振的两端，每个电容的另一端再接到地，这两个电容串联的容量值就应该等于负载电容，请注意一般IC的引脚都有等效输入电容，这个不能忽略。

一般的晶振的负载电容为15p或12.5p ，如果再考虑元件引脚的等效输入电容，则两个22p的电容构成晶振的振荡电路就是比较好的选择。